37. Электрические характеристики AT91SAM7S
37.1 Предельно-допустимые характеристики
Таблица 37.1. Предельно-допустимые характеристики *
| Рабочая температура (промышленный диапазон) |
-40°C...+85°C |
| Температура хранения |
-60°C...+150°C |
| Напряжение на входах по отношению к общему |
-0.3В...+5.5В |
| Максимальное рабочее напряжение (VDDCORE и VDDPLL) |
1.95В |
| Максимальное рабочее напряжение (VDDIO, VDDIN и VDDFLASH) |
3.6В |
| Суммарная нагрузочная способность линий ввода-вывода в 48-выводных корпусах LQFP/QFN |
100 мА |
| Суммарная нагрузочная способность линий ввода-вывода в 64-выводных корпусах LQFP/QFN |
150 мА |
* ПРИМ.: выход за предельно-допустимые характеристики может вызвать перманентное повреждение микроконтроллера. Данные характеристики указывают на кратковременную перегрузочную способность микроконтроллера, не следует их использовать как рабочие характеристики. Длительная работа при условиях близким к предельно-допустимым характеристикам может повлиять на надежность работы микроконтроллера.
37.2 Статические характеристики
Если условия измерения не указаны, то полагается: Tокр.ср. = -40°C…+85°C, VCC = 2.7В…5.5В. Характеристики подтверждены для температур перехода до 100°C.
Таблица 37.2. Статические характеристики
| Обозн. |
Параметр |
Условия измерения |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Ед. изм. |
| VVDDCORE |
Напряжение питания ядра |
|
1.65 |
|
1.95 |
В |
| VVDDPLL |
Напряжение питания ФАПЧ |
|
1.65 |
|
1.95 |
В |
| VVDDIO |
Напряжение питания ввода-вывода |
|
3.0 |
|
3.6 |
В |
| 1.65 |
|
1.95 |
В |
| VVDDFLASH |
Напряжение питания флэш-памяти |
|
3.0 |
|
3.6 |
В |
| VIL |
Входное напряжение низкого уровня |
VVDDIO=3.0-3.6В |
-0.3 |
|
0.8 |
В |
| VVDDIO= 1.65-1.95В |
-0.3 |
|
0.45 |
В |
| VIH |
Входное напряжение высокого уровня |
VVDDIO=3.0-3.6В |
2.0 |
|
5.5 |
B |
| VVDDIO= 1.65-1.95В |
0.6 х VVDDIO |
|
5.5 |
В |
| VOL |
Выходное напряжение низкого уровня |
Iвых=8 мА, VVDDIO=3.0-3.6В |
|
|
0.4 |
В |
| Iвых=1.5 мА, VVDDIO=1.65-1.95В |
|
|
0.2 |
В |
| VOH |
Выходное напряжение высокого уровня |
Iвых = 8 мА, VVDDIO=3.0-3.6В |
VDDIO - 0.4 |
|
|
В |
| Iвых = 1.5 мА, VVDDIO=1.65-1.95В |
VDDIO - 0.2 |
|
|
В |
| ILEAK |
Входной ток утечки |
PA0-PA3, подтягивающие резисторы отключены (тип.: Tокр. = 25°C, макс: Tокр.=85°C) |
|
40 |
400 |
нА |
| Другие линии в/в, подтягив. резисторы отключены (тип.: Tокр. = 25°C, макс: Tокр.=85°C) |
|
20 |
200 |
нА |
| IPULLUP |
Входной ток подтягивания |
PA17-PA20, VVDDIO=3.0-3.6В, PAx подключены к общему |
10 |
20.6 |
60 |
мкА |
| PA17-PA20, VVDDIO=1.65-1.95В, PAx подключены к общему |
2.46 |
5.15 |
11.5 |
мкА |
| Прочие линии в/в, VVDDIO=3.0-3.6В, PAx подключены к общему |
143 |
321 |
600 |
мкА |
| Прочие линии в/в, VVDDIO=1.65-1.95В, PAx подключены к общему |
25 |
75 |
100 |
мкА |
|
|
| IPULLDOWN |
Входной ток подтягивания к общему, (TST, ERASE, JTAGSEL) |
VVDDIO=3.0-3.6В, выводы подключены к VVDDIO |
135 |
295 |
550 |
мкА |
| VVDDIO=1.65-1.95В, выводы подключены к VVDDIO |
30 |
67 |
130 |
мкА |
| CIN |
Входная емкость |
48 или 64-выв. корпус LQFP |
|
|
13.9 |
пФ |
| ISC |
Статический ток (AT91SAM7S64/321/32) |
VVDDCORE=1.85В, MCK = 500Гц на все входы поданы лог. 1 (в т.ч. TMS, TDI, TCK, NRST). Флэш-память в дежурном режиме. Все периферийные модули отключены. |
Tокр.=25°C |
|
4.0 |
15 |
мкА |
| Tокр.=85°C |
|
25 |
100 |
мкА |
| ISC |
Статический ток (AT91SAM7S256/128) |
VVDDCORE=1.85В, MCK = 500Гц На все входы поданы лог. 1 (в т.ч. TMS, TDI, TCK, NRST). Флэш-память в дежурном режиме. Все периферийные устройства отключены. |
Tокр.=25°C |
|
4.0 |
15 |
мкА |
| Tокр.=85°C |
|
25 |
100 |
мкА |
| Iвых |
Выходной ток |
PA0-PA3, VVDDIO=3.0-3.6В |
|
|
16 |
мА |
| PA0-PA3, VVDDIO=1.65-1.95В |
|
|
3 |
мА |
| PA17-PA20, VVDDIO=3.0-3.6В |
|
|
2 |
мА |
| PA17-PA20,VVDDIO=1.65-1.95В |
|
|
0.5 |
мА |
| Другие линии в/в, VVDDIO=3.0-3.6В |
|
|
8 |
мА |
| Другие линии в/в, VVDDIO=1.65-1.95В |
|
|
1.5 |
мА |
| TSLOPE |
Скорость нарастания напряжения питания ядра |
|
6 |
|
|
В/мс |
Обратите внимание, что в ходе запуска VVDDFLASH должно всегда отставать или совпадать с VVDDCORE.
Таблица 37.3. Характеристики 1.8В-ого стабилизатора напряжения
| Обозн. |
Параметр |
Условия измерения |
Мин. |
Ном. |
Макс. |
Ед.изм. |
| VBOT- |
Пороговый уровень |
|
1.65 |
1.68 |
1.71 |
В |
| VHYST |
Гистерезис |
VHYST = VBOT+ - VBOT- |
|
50 |
65 |
мВ |
| IDD |
Потребляемый ток |
Супервизор включен (бит GPNVM0 активен) |
|
12 |
18 |
мкА |
| |
|
Супервизор выключен (бит GPNVM0 неактивен) |
|
|
1 |
мкА |
| TSTART |
Время старта |
|
|
100 |
200 |
мкс |
| TPU |
Задержка при подаче питания |
|
|
|
45 |
мкс |
| ISB |
Дежурный ток |
при температуре 25°C
через VDDCORE = 1.8В
через VDDFLASH = 3.3В |
|
|
10
30 |
мкА |
при температуре 85°C
через VDDCORE = 1.8В
через VDDFLASH = 3.3В |
|
|
10
30 |
мкА |
| ICC |
Активный ток |
Произв. чтение/30 МГц
через VDDCORE = 1.8В
через VDDFLASH = 3.3В |
|
|
3.0
0.4 |
мА |
Запись
через VDDCORE = 1.8В
через VDDFLASH = 3.3В |
|
|
400
2.2 |
мА |
Таблица 37.6. Статические характеристики флэш-памяти AT91SAM7S256/128
| Обозн. |
Параметр |
Условия измерения |
Мин. |
Ном. |
Макс. |
Ед.изм. |
| TPU |
Задержка при подаче питания |
|
|
|
45 |
мкс |
| ISB |
Дежурный ток |
при температуре 25°C
через VDDCORE = 1.8В
через VDDFLASH = 3.3В |
|
|
5
10 |
мкА |
при температуре 85°C
через VDDCORE = 1.8В
через VDDFLASH = 3.3В |
|
|
10br>120 |
мкА |
| ICC |
Активный ток |
Произв. чтение/30 МГц
через VDDCORE = 1.8В
через VDDFLASH = 3.3В |
|
|
3.0
0.8 |
мА |
Запись
через VDDCORE = 1.8В
через VDDFLASH = 3.3В |
|
|
400
5.5 |
мА |
37.3 Потребляемый ток
- Типичный потребляемый ток ФАПЧ, низкочастотной синхронизации и основного генератора.
- Потребляемый ток от источника питания в двух различных режимах: активный и сверхмаломощный.
- Потребляемый ток периферийными устройствами: вычисляется как разность измеренного потребляемого тока до и после отключения соответствующей синхронизации.
37.3.1 Потребляемый ток в различных режимах работы
Значения в таблицах 37.7 и 37.8 определены при следующих условиях:
- VDDI
- = VDDIN = VDDFLASH= 3.3В
- VDDCORE = VDDPLL = 1.85В
- Tокр. = 25°C
- Отсутствует потребление через линии ввода-вывода.
Рисунок 37.1. Схема измерения
На рисунке 37.1 показана схема, которая используется для измерения тока, потребляемого от источников питания.
Таблица 37.7. Потребляемая мощность в различных режимах
| Режим |
Условия |
Потребление |
Единица измерения |
| Активный (AT91SAM7S64/321/32) |
Стабилизатор напряжения включен.
Супервизор напряжения включен.
Выполняется чтение флэш-памяти.
Частота синхронизации ядро ARM равна 50 МГц.
Аналогово-цифровой преобразователь активен.
Синхронизация всех периферийных модулей активна.
USB-трансивер включен.
показания AMP1
показания AMP2 |
29.4
28.1 |
мА |
| Активный (AT91SAM7S256/128) |
Стабилизатор напряжения включен.
Супервизор напряжения включен.
Выполняется чтение флэш-памяти.
Частота синхронизации ядро ARM равна 50 МГц.
Аналогово-цифровой преобразователь активен.
Синхронизация всех периферийных модулей активна.
USB-трансивер включен.
показания AMP1
показания AMP2 |
31.9
30.6 |
мА |
| Сверхмаломощный |
Стабилизатор напряжения в маломощном режиме
Супервизор напряжения отключен.
Флэш-память в дежурном режиме.
Ядро ARM в режиме холостого хода.
MCK = 500 Гц.
Аналогово-цифровой преобразователь отключен.
Синхронизация всех периферийных модулей отключена.
USB-трансивер отключен.
Выводы DDM и DDP подключены к общему.
показания AMP1
показания AMP2 |
34.3
4.0 |
мкА |
37.3.2 Потребление периферийных модулей в активном режиме
Таблица 37.8. Потребление через вывод VDDCORE1
| Периферийный модуль |
Типичное потребление |
Единица измерения |
| Контроллер порта ввода-вывода |
12 |
мкА/МГц |
| УСАПП |
28 |
| Порт USB-устройства |
20 |
| ШИМ-контроллер |
16 |
| Модуль TWI |
5 |
| Модуль SPI |
16 |
| Модуль SSC |
32 |
| Каналы таймера-счетчика |
6 |
| ARM7TDMI |
160 |
| Системные периферийные модули (AT91SAM7S128/256) |
190 |
| Системные периферийные модули (AT91SAM7S32/321/64) |
140 |
Прим.1: VDDCORE = 1.85В, Tокр. = 25°C
37.4 Характеристики кварцевого генератора
37.4.1 Характеристики RC-генератора
Таблица 37.9. Характеристики RC-генератора
| Обозн. |
Параметр |
Условия измерения |
Мин. |
Ном. |
Макс. |
Ед.изм. |
| 1/(tCPRC) |
Частота RC-генератора |
VDDPLL = 1.65В |
22 |
32 |
42 |
кГц |
| |
коэффициент заполнения |
|
45 |
50 |
55 |
% |
| tST |
Время запуска |
VDDPLL = 1.65В |
|
|
75 |
мкс |
| IOSC |
Потребляемый ток |
по завершении запуска |
|
|
1.9 |
мкА |
37.4.2 Характеристики основного генератора
Таблица 37.10. Характеристики основного генератора
| Обозн. |
Параметр |
Условия измерения |
Мин. |
Ном. |
Макс. |
Ед.изм. |
| 1/(tCPMAIN) |
Частота кварцевого генератора |
|
3 |
16 |
20 |
МГц |
| CL1, CL2 |
Внутренняя нагрузочная емкость (CL1 = CL2) |
|
|
25 |
|
пФ |
| CL |
Эквивалентная емкость нагрузки |
|
|
12.5 |
|
пФ |
| |
коэффициент заполнения |
|
40 |
50 |
60 |
% |
| tST |
Время запуска |
VDDPLL = 1.2-2В
Cs = 3 пФ1 1/(tCPMAIN) = 3 МГц
Cs = 7 пФ1 1/(tCPMAIN) = 16 МГц
Cs = 7 пФ1 1/(tCPMAIN) = 20 МГц |
|
|
14.5
1.4
1 |
мс |
| IOSC |
Потребляемый ток |
Активный режим |
|
|
550 |
мкА |
| Дежурный режим |
|
|
1 |
мкА |
Прим.: 1. Cs - шунтирующая емкость.
37.4.3 Характеристики синхронизации XIN
Таблица 37.11. Электрические характеристики синхронизации XIN
| Обозн. |
Параметр |
Условия измерения |
Мин. |
Макс. |
Ед.изм. |
| 1/(tCPXIN) |
Частота синхронизации XIN |
прим.1 |
|
50.0 |
МГц |
| tCPXIN |
Период синхронизации XIN |
прим.1 |
20.0 |
|
нс |
| tCHXIN |
Длительность высокого полупериода XIN |
прим.1 |
0.4 x tCPXIN |
0.6 x tCPXIN |
|
| tCLXIN |
Длительность низкого полупериода XIN |
прим.1 |
0.4 x tCPXIN |
0.6 x tCPXIN |
|
| CIN |
Входная емкость XIN |
прим.1 |
|
25 |
пФ |
| RIN |
Подтягивающее к общему питания сопротивление на входе XIN |
прим.1 |
|
500 |
кОм |
| VXIN_IL |
Входное напряжение низкого уровня VXIN |
прим.1 |
-0.3 |
0.2 x VDDPLL |
В |
| VXIN_IH |
Входное напряжение высокого уровня VXIN |
прим.1 |
0.8 x VDDPLL |
1.95 |
В |
Прим.1: данные характеристики применимы только в случае, когда основной генератор работает в режиме обхода (т.е., когда MOSCEN = 0 и OSCBYPASS = 1 в регистре CKGR_MOR, см. параграф 26.9.7 "Регистр основного генератора тактового генератора PMC".
37.5 Характеристики модуля ФАПЧ
Таблица 37.12. Характеристики модуля фазовой автоподстройки частоты
| Обозн. |
Параметр |
Условия измерения |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Ед.изм. |
| FOUT |
Выходная частота: AT91SAM7S64/321/32 |
значение поля CKGR_PLL = 00 |
80 |
|
160 |
МГц |
| значение поля CKGR_PLL = 11 |
150 |
|
200 |
МГц |
| FOUT |
Выходная частота: AT91SAM7S256/128 |
значение поля CKGR_PLL = 00 |
80 |
|
160 |
МГц |
| значение поля CKGR_PLL = 11 |
150 |
|
180 |
МГц |
| FIN |
Входная частота |
|
1 |
|
32 |
МГц |
| IPLL |
Потребляемый ток |
Активный режим |
|
|
4 |
мА |
| Дежурный режим |
|
|
1 |
мкА |
Прим.: время запуска зависит от RC-фильтра ФАПЧ. Для его вычисления Atmel предлагает специальное инструментальное средство.
37.6 Характеристики USB-трансивера
37.6.1 Электрические характеристики
Таблица 37.13. Электрические параметры
| Обозн. |
Параметр |
Условия измерения |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Ед.изм. |
| Входные уровни |
| VIL |
Низкий уровень |
|
|
|
0.8 |
В |
| VIH |
Высокий уровень |
|
2.0 |
|
|
B |
| VDI |
Чувствительность дифференциального входа |
|(D+) - (D-)| |
0.2 |
|
|
В |
| VCM |
Диапазон синфазных напряжений дифференциального входа |
|
0.8 |
|
2.5 |
В |
| CIN |
Емкость трансивера |
емкость по отношению к общему питания на каждой линии |
|
|
9.18 |
пФ |
| I |
Ток утечки линии данных в высокоимпедансном состоянии |
0В< VВХ< 3.3В |
-10 |
|
+10 |
мкА |
| REXT |
Рекомендуемое внешнее последовательное сопротивление |
последовательно с каждым выводом USB, ±5% |
|
27 |
|
Ом |
| Выходные уровни |
| VOL |
Выходное напряжение низкого уровня |
Измеряется с Rнагр=1.425 кОм, подключенного к 3.6В |
0.0 |
|
0.3 |
В |
| VOH |
Выходное напряжение высокого уровня |
Измеряется с Rнагр=14.25 кОм, подключенного к GND |
2.8 |
|
3.6 |
В |
| VCRS |
Напряжение пересечения выходных сигналов |
условия измерения описаны на рисунке 37.2 |
1.3 |
|
2.0 |
В |
| Потребление |
| IVDDIO |
Потребляемый ток |
работа трансивера разрешена в режиме ввода: DDP=1 и DDM=0 |
|
105 |
200 |
мкА |
| IVDDCORE |
Потребляемый ток |
|
80 |
150 |
мкА |
37.6.2 Импульсные характеристики
Таблица 37.14. Характеристики на низкой скорости
| Обозн. |
Параметр |
Условия измерения |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Ед.изм. |
| tFR |
Время нарастания |
Cнагр = 400 пФ |
75 |
|
300 |
нс |
| tFE |
Время спада |
Cнагр = 400 пФ |
75 |
|
300 |
нс |
| tFRFM |
Соотношение времен нарастания/спада |
Cнагр = 400 пФ |
80 |
|
125 |
% |
Таблица 37.15. Характеристики на полной скорости
| Обозн. |
Параметр |
Условия измерения |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Ед.изм. |
| tFR |
Время нарастания |
Cнагр = 50 пФ |
4 |
|
20 |
нс |
| tFE |
Время спада |
Cнагр = 50 пФ |
4 |
|
20 |
нс |
| tFRFM |
Соотношение времен нарастания/спада |
|
90 |
|
111.11 |
% |
Рисунок 37.2. Времена нарастания и спада сигналов данных шины USB
37.7 Характеристики АЦП
Таблица 37.16. Время преобразования канала и синхронизация АЦП
| Параметр |
Условия измерения |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Ед.изм. |
| Частота синхронизации АЦП |
10-разрядный режим |
|
|
5 |
МГц |
| Частота синхронизации АЦП |
8-разрядный режим |
|
|
8 |
МГц |
| Время запуска |
выход из режима холостого хода |
|
|
20 |
мкс |
| Время выборки-хранения |
|
600 |
|
|
нс |
| Время преобразования |
Частота синхронизации АЦП: 5 МГц |
|
|
2 |
мкс |
| Время преобразования |
Частота синхронизации АЦП: 8 МГц |
|
|
1.25 |
мкс |
| Производительность |
Частота синхронизации АЦП: 5 МГц |
|
|
3841 |
тыс. преобр. в сек. |
| Производительность |
Частота синхронизации АЦП: 8 МГц |
|
|
5332 |
тыс. преобр. в сек. |
Прим.:
- Соответствует 13 тактам на частоте 5МГц: 3 такта синхронизации на выборку-хранение и 10 тактов синхронизации на преобразование.
- Соответствует 15 тактам на частоте 8МГц: 5 тактов синхронизации на выборку-хранение и 10 тактов синхронизации на преобразование.
Таблица 37.17. Вход внешнего опорного напряжения
| Параметр |
Условия измерения |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Ед.изм. |
| Диапазон входного напряжения ADVREF |
|
2.6 |
|
VDDIN |
В |
| Средний потребляемый ток на ADVREF |
13 преобразований с частотой синхронизации АЦП 5 МГц |
|
200 |
250 |
мкА |
| Потребляемый ток на VDDIN |
|
|
0.55 |
1 |
мА |
Таблица 37.18. Аналоговые входы
| Параметр |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Ед.изм. |
| Диапазон входного напряжения |
0 |
|
VADVREF |
В |
| Входной ток утечки |
|
1 |
|
мкА |
| Входная емкость |
|
12 |
14 |
пФ |
На вход АЦП можно подключать источник с выходным сопротивлением до:
- Zвых [Ом] меньше или равно (SHTIM -470) x 10 в 8-разрядном режиме;
- Zвых [Ом] меньше или равно (SHTIM -589) x 7.69 в 10-разрядном режиме, SHTIM - значение регистра выборки-хранения, выраженного в "нс".
Таблица 37.19. Передаточные характеристики
| Параметр |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Ед.изм. |
| Разрешающая способность |
|
10 |
|
бит |
| Интегральная нелинейность |
|
|
±3 |
мл.разр. |
| Дифференциальная нелинейность |
|
|
±2 |
мл.разр. |
| Погрешность смещения |
|
|
±2 |
мл.разр. |
| Погрешность усиления |
|
|
±2 |
мл.разр. |
37.8 Динамические характеристики
37.8.1 Характеристики главной синхронизации
Таблица 37.20. Параметры главной синхронизации
| Обозн. |
Параметр |
Условия измерения |
Мин. |
Макс. |
Ед.изм. |
| 1/(tCPMCK) |
Частота главной синхронизации |
|
|
55 |
МГц |
37.8.2 Характеристики ввода-вывода
Критерии, используемые для определения максимальной частоты ввода-вывода:
- заполнение импульсов (30%-70%)
- минимальный размах выходного напряжения: от 100 мВ до VDDIO - 100мВ
- дополнительное время нарастания и спада не более 75% периода
Таблица 37.21. Характеристики ввода-вывода
| Обозн. |
Параметр |
Условия измерения |
Мин. |
Макс. |
Ед.изм. |
| FreqMaxI01 |
Частота группы выводов 1 (прим. 1) |
3.3В-ый домен4 |
|
12.5 |
МГц |
| 1.8В-ый домен5 |
|
4.5 |
МГц |
| PulseminHI01 |
Длительность высокого уровня группы выводов 1 (прим. 1) |
3.3В-ый домен4 |
40 |
|
нс |
| 1.8В-ый домен5 |
110 |
|
нс |
| PulseminLI01 |
Длительность низкого уровня группы выводов 1 (прим. 1) |
3.3В-ый домен4 |
40 |
|
нс |
| 1.8В-ый домен5 |
110 |
|
нс |
| FreqMaxI02 |
Частота группы выводов 2 (прим. 2) |
3.3В-ый домен4 |
|
25 |
МГц |
| 1.8В-ый домен5 |
|
14 |
МГц |
| PulseminHI02 |
Длительность высокого уровня группы выводов 2 (прим. 2) |
3.3В-ый домен4 |
20 |
|
нс |
| 1.8В-ый домен5 |
36 |
|
нс |
| PulseminLI02 |
Длительность низкого уровня группы выводов 2 (прим. 2) |
3.3В-ый домен4 |
20 |
|
нс |
| 1.8В-ый домен5 |
36 |
|
нс |
| FreqMaxI03 |
Частота группы выводов 3 (прим. 3) |
3.3В-ый домен4 |
|
30 |
МГц |
| 1.8В-ый домен5 |
|
11 |
МГц |
| PulseminHI03 |
Длительность высокого уровня группы выводов 3 (прим. 3) |
3.3В-ый домен4 |
16.6 |
|
нс |
| 1.8В-ый домен5 |
45 |
|
нс |
| PulseminLI03 |
Длительность низкого уровня группы выводов 3 (прим. 3) |
3.3В-ый домен4 |
16.6 |
|
нс |
| 1.8В-ый домен5 |
45 |
|
нс |
Прим.:
- Группа выводов 1 = PA17-PA20
- Группа выводов 2 = PA4-PA16 и PA21-PA31 (PA2-PA31 нет у AT91SAM7S32)
- Группа выводов 3 = PA0-PA3
- 3.3В-ый домен: VVDDIO=3.0В-3.6В, максимальная внешняя емкость = 40 пФ
- 1.8В-ый домен: VVDDIO=1.65В-1.95В, максимальная внешняя емкость = 20 пФ
37.8.3 Характеристики SPI
Рисунок 37.3. Ведущий режим SPI с (CPOL = NCPHA = 0) или (CPOL= NCPHA= 1)
Рисунок 37.4. Ведущий режим SPI с (CPOL=0 и NCPHA=1) или (CPOL=1 и NCPHA=0)
Рисунок 37.5. Подчиненный режим SPI с (CPOL=0 и NCPHA=1) или (CPOL=1 и NCPHA=0)
Рисунок 37.6. Подчиненный режим SPI с (CPOL=NCPHA=0) или (CPOL=NCPHA=1)
Таблица 37.22. Временные характеристики интерфейса SPI
| Обозн. |
Параметр |
Условия измерения |
Мин. |
Макс. |
Ед.изм. |
| SPI0 |
Время установления MISO до нарастания SPCK (ведущий режим) |
3.3В-ый домен1 |
|
28.5 |
нс |
| 1.8В-ый домен2 |
|
38 |
нс |
| SPI1 |
Время удержания MISO после нарастания SPCK (ведущий режим) |
3.3В-ый домен1 |
0 |
|
нс |
| 1.8В-ый домен2 |
0 |
|
нс |
| SPI2 |
Задержка от нарастания SPCK до действительности MOSI (ведущий режим) |
3.3В-ый домен1 |
|
2 |
нс |
| 1.8В-ый домен2 |
|
7 |
нс |
| SPI3 |
Время установления MISO до спада SPCK (ведущий режим) |
3.3В-ый домен1 |
|
26.5 |
нс |
| 1.8В-ый домен2 |
|
44 |
нс |
| SPI4 |
Время удержания MISO после спада SPCK (ведущий режимr) |
3.3В-ый домен1 |
0 |
|
нс |
| 1.8В-ый домен2 |
0 |
|
нс |
| SPI5 |
Задержка от спада SPCK до действительности MOSI (ведущий режим) |
3.3В-ый домен1 |
|
2 |
нс |
| 1.8В-ый домен2 |
|
2.5 |
нс |
| SPI6 |
Задержка от спада до SPCK до действительности MISO (подчиненный режим) |
3.3В-ый домен1 |
|
28 |
нс |
| 1.8В-ый домен2 |
|
44 |
нс |
| SPI7 |
Время установления MOSI до нарастания SPCK (подчиненный режим) |
3.3В-ый домен1 |
2 |
|
нс |
| 1.8В-ый домен2 |
3 |
|
нс |
| SPI8 |
Время удержания MOSI после нарастания SPCK (подчиненный режим) |
3.3В-ый домен1 |
3 |
|
нс |
| 1.8В-ый домен2 |
2 |
|
нс |
| SPI9 |
Задержка от нарастания SPCK до действительности MISO (подчиненный режим) |
3.3В-ый домен1 |
|
28 |
нс |
| 1.8В-ый домен2 |
|
43 |
нс |
| SPI10 |
Время установления MOSI до спада SPCK (подчиненный режим) |
3.3В-ый домен1 |
3 |
|
нс |
| 1.8В-ый домен2 |
3 |
|
нс |
| SPI11 |
Время удержания MOSI после спада SPCK (подчиненный режим) |
3.3В-ый домен1 |
3 |
|
нс |
| 1.8В-ый домен2 |
2 |
|
нс |
Прим.:
- 3.3В-ый домен: VVDDIO=3.0В-3.6В, максимальная внешняя емкость = 40 пФ
- 1.8В-ый домен: VVDDIO=1.65В-1.95В, максимальная внешняя емкость = 20 пФ
37.8.4 Характеристики встроенной флэш-памяти
В таблице 37.23 приведена максимальная рабочая частота, которая зависит от времени доступа к флэш-памяти при выборке кода из нее со стороны процессора. Таким образом, значение максимальной рабочей частоты в таблице 37.23 приводится для различных значений поля FWS регистра MC_FMR. Данное поле задает количество состояний ожидания, требуемое для доступа к встроенной флэш-памяти.
Таблица 37.23. Количество состояний ожидания встроенной флэш-памяти
| FWS1 |
Операции чтения |
Максимальная рабочая частота, МГц |
| 0 |
1 цикл |
30 |
| 1 |
2 цикла |
55 |
| 2 |
3 цикла |
55 |
| 32 |
4 цикла |
55 |
Прим.:
- FWS - количество состояний ожидания флэш-памяти
- Нет необходимости использовать 2 или 3 состояний ожидания, т.к. флэш-память может работать на максимальной частоте и с одним состоянием ожидания.
Таблица 37.24. Динамические характеристики флэш-памяти
| Параметр |
Условия измерения |
Мин. |
Макс. |
Ед.изм. |
| Длительность цикла программирования |
программирование одной страницы, в т.ч. автоматич. стирание |
|
6 |
мс |
| программирование одной страницы без автоматического стирания |
|
3 |
мс |
| Стирание всего кристалла |
|
15 |
|
мс |
37.8.5 Временные характеристики интерфейса JTAG/ICE
37.8.5.1 Сигналы интерфейса ВСЭ (ICE)
Таблица 37.25. Временные характеристики интерфейса ВСЭ (ICE)
| Обозн. |
Параметр |
Условия измерения |
Мин. |
Макс. |
Ед.изм. |
| ICE0 |
Длительность низкого полупериода TCK |
прим. 1 |
51 |
|
нс |
| ICE1 |
Длительность высокого полупериода TCK |
прим. 1 |
51 |
|
нс |
| ICE2 |
Период TCK |
прим. 1 |
102 |
|
нс |
| ICE3 |
Время установления TDI, TMS до высокого уровня TCK |
прим. 1 |
0 |
|
нс |
| ICE4 |
Время удержания TDI, TMS после появления высокого уровня TCK |
прим. 1 |
3 |
|
нс |
| ICE5 |
Время удержания TDO |
прим. 1 |
13 |
|
нс |
| ICE6 |
Интервал времени от появления низкого уровня TCK до действительности TDO |
прим. 1 |
|
20 |
нс |
Прим.1: VVDDIO=3.0В-3.6В, максимальная внешняя емкость 40 пФ
Рисунок 37.7. Сигналы интерфейса ВСЭ (ICE)
37.8.5.2 Сигналы JTAG-интерфейса
Таблица 37.26. Временные характеристики интерфейса JTAG
| Обозн. |
Параметр |
Условия измерения |
Мин. |
Макс. |
Ед.изм. |
| JTAG0 |
Длительность низкого полупериода TCK |
прим. 1 |
6,5 |
|
нс |
| JTAG1 |
Длительность высокого полупериода TCK |
прим. 1 |
5,5 |
|
нс |
| JTAG2 |
Период TCK |
прим. 1 |
12 |
|
нс |
| JTAG3 |
Время установления TDI, TMS до появления высокого уровня на TCK |
прим. 1 |
2 |
|
нс |
| JTAG4 |
Время удержания TDI, TMS после установления высокого уровня TCK |
прим. 1 |
3 |
|
нс |
| JTAG5 |
Время удержания TDO |
прим. 1 |
4 |
|
нс |
| JTAG6 |
Интервал времени от установления низкого уровня TCK до действительности TDO |
прим. 1 |
|
16 |
нс |
| JTAG7 |
Время установления входов устройства |
прим. 1 |
0 |
|
нс |
| JTAG8 |
Время удержания входов устройства |
прим. 1 |
3 |
|
нс |
| JTAG9 |
Время удержания выходов устройства |
прим. 1 |
6 |
|
нс |
| JTAG10 |
Время от TCK до действительности выходов устройства |
прим. 1 |
|
18 |
нс |
Прим.:
1. VVDDIO=3.0-3.6В, максимальная внешняя емкость 40 пФ
Рисунок 37.8. Сигналы JTAG-интерфейса
