SKiiP38AC126V2

3-фазный мостовой инвертор MiniSKiiP 3

Отличительные особенности:

• Быстродействующие Tranch IGBT-транзисторы (пазовое исполнение затвора)
• Надежные, плавно-пробиваемые диоды, выполненные по технологии CAL (управляемый срок существования носителя)
• Высоконадежные пружинные контакты для электрических подключений
• Сертификат лаборатории безопасности UL номер E63532

Области применения:

• Инверторы мощностью до 39 кВА
• Двигатели мощностью 22 кВт

Примечания:

• V_CEsat , V_F - значения на уровне кристалла (без учета потерь на контактах)

Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
Обозначение	Наименование	Условия снятия характеристики	Значение	Единица измерения
IGBT-транзистор инвертора
VCES	напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером		1200	В
IC	ток коллектора	Tc = 25 (70) °C	118 (88)	А
ICRM	повторяющийся максимальный ток коллектора	tимп 1 мс	210	А
VGES	напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером		± 20	В
Tj	температура перехода		- 40 ... + 150	°C
Обратный диод инвертора
IF	прямой ток	Tc = 25 (70) °C	118 (88)	A
IFRM	максимальный повторяющийся прямой ток	tимп 1 мс	210	A
Tj	температура перехода		- 40 ... + 150	°C
ItRMS	действующее значение во включенном состоянии	для одной силовой клеммы (20A/пружину)	160	A
Tstg	температура хранения	Top Tstg	- 40 ... + 125	°C
Visol	напряжение испытания изоляции	переменное напряжение, 1 минута	2500	В

Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
Обозначение	Наименование	Условия снятия характеристики	мин.	ном.	макс.	Единица измерения
IGBT-транзистор инвертора
VCE(sat)	напряжение насыщения коллектора-эмиттера	ICnom = 105 A, Tj = 25 (125) °C		1,7 (2)	2,1 (2,4)	В
VGE(th)	пороговое напряжение затвор-эмиттер	VGE = VCE, IC = 3 мА	5	5,8	6,5	В
VCE(TO)	Пороговое напряжение коллектора-эмиттера (статическое)	Tj = 25 (125) °C		1 (0,9)	1,2 (1,1)	В
rT	Дифференциальное сопротивление во включенном состоянии	Tj = 25 (125) °C		6,7 (10)	8,6 (12)	мОм
Cies	Входная емкость при закороченном выходе	VGE = 25, VCE = 0 В, f = 1 МГц		8,4		нФ
Coes	выходная емкость при закороченном входе	VGE = 25, VCE = 0 В, f = 1 МГц		1,5		нФ
Cres	Обратная передаточная емкость (емкость Миллера)	VGE = 25, VCE = 0 В, f = 1 МГц		1,1		нФ
Rth(j-s)	Тепловое сопротивление	для одного IGBT		0,4		K/Вт
td(on)	длительность задержки включения	VCC = 300 В, VGE = ± 15В ICnom = 105 A, Tj = 125 °C RGon = RGoff = 5 Ом индуктивная нагрузка		75		нс
tr	время нарастания			35		нс
td(off)	длительность задержки выключения			465		нс
tf	время спада			90		нс
Eon	рассеиваемая энергия в процессе включения			13.1		мДж
Eoff	рассеиваемая энергия в процессе выключения			13		мДж
Обратный диод инвертора
VF = VEC	прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе	IFnom = 105 A; Tj = 25 (125) °C		1,6 (1,6)	1,8 (1,8)	В
V(TO)	пороговое напряжение	Tj = 25 (125) °C		1 (0,8)	1,1 (0,9)	В
rT	прямое дифференциальное сопротивление	Tj = 25 (125) °C		5,7 (7,6)	6,7 (8,6)	мОм
Rth(j-s)	Тепловое сопротивление	для одного диода		0,55		K/Вт
IRRM	максимальный ток обратного восстановления	IIFnom = 105 A, VR = 300 В VGE = 0В, Tj = 125 °C diF/dt = 4000 A/мкс		175		A
Qrr	заряд восстановления			26		мкКл
Err	Рассеиваемая энергия в процессе обратного восстановления			11.2		мДж
Датчик температуры
Rts	сопротивление	3 %, Tr = 25 (100) °C		1000 (1670)		Ом
Механические данные
Ms	монтажный вращающий момент		2		2.5	Н · м
m	масса				95	грамм

I_C - ток коллектора;

V_GE - напряжение затвор-эмиттер;

V_CE - напряжение коллектор-эмиттер;

T_j - температура перехода;

I_Cnom - номинальный ток коллектора;

V_CC - напряжение питания коллектора-эмиттера;

R_Gon (R_Goff)- внешнее последовательное сопротивление с затвором во время включения (выключения);

I_Fnom - номинальный прямой ток.

Внешний вид модулей семейства SKIIP 3:

Схема модуля:

Типовая схема включения:

Документация:

1213 Kb Engl Описание модулей

Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы Semikron,