SKiiP29ANB08V1

3-фазный мостовой выпрямитель + тормозной прерыватель MiniSKiiP 2

Отличительные особенности:

• Ультрабыстродействующие NPT IGBT-транзисторы
• Надежные, плавно-пробиваемые диоды, выполненные по технологии CAL (управляемый срок существования носителя)
• Высоконадежные пружинные контакты для электрических подключений
• Сертификат лаборатории безопасности UL номер E63532

Области применения:

• Входной мост для инверторов мощностью до 30 кВА

Примечания:

• V_CEsat , V_F - значения на уровне кристалла (без учета потерь на контактах)

Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
Обозначение	Наименование	Условия снятия характеристики	Значение	Единица измерения
IGBT-прерыватель
VCES	напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером		600	В
IC	ток коллектора	Tc = 25 (70) °C	125 (93)	А
ICRM	повторяющийся максимальный ток коллектора	tимп 1 мс	300	А
VGES	напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером		± 15	В
Tj	температура перехода		- 40 ... + 150	°C
Диод прерывателя
IF	прямой ток	Tc = 25 (70) °C	120 (89)	A
IFRM	максимальный повторяющийся прямой ток	tимп 1 мс	300	A
Tj	температура перехода		- 40 ... + 150	°C
Диод/тиристор выпрямителя
VRRM	повторяющееся максимальное обратное напряжение		800	B
IF/IT	прямой ток/ток во включенном состоянии	Ts = 70	83	A
IFSM/ITSM	прямой ток перегрузки/ ток перегрузки во включенном состоянии	tp = 10 мс, sin 180 °, Tj = 25 °C	1000	A
i2t	значение i2t	tp = 10 мс, sin 180 °, Tj = 25 °C	6600	А2с
Tj	температура перехода	Диод	- 40 ... + 150	°C
ItRMS	действующее значение во включенном состоянии	для одной силовой клеммы (20A/пружину)	120	A
Tstg	температура хранения	Top Tstg	- 40 ... + 125	°C
Visol	напряжение испытания изоляции	переменное напряжение, 1 минута	2500	B

Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
Обозначение	Наименование	Условия снятия характеристики	мин.	ном.	макс.	Единица измерения
IGBT-транзистор прерывателя
VCE(sat)	напряжение насыщения коллектора-эмиттера	ICnom = 150 A, Tj = 25 (125) °C		2 (2,2)	2,5 (2,7)	В
VGE(th)	пороговое напряжение затвор-эмиттер	VGE = VCE, IC = 1,5 мА	3	4	5	В
VCE(TO)	Пороговое напряжение коллектора-эмиттера (статическое)	Tj = 25 (125) °C		1,2 (1,1)	1,3 (1,2)	В
rT	Дифференциальное сопротивление во включенном состоянии	Tj = 25 (125) °C		5.3 (7.3)	8 (10)	мОм
Cies	Входная емкость при закороченном выходе	VGE = 25, VCE = 0 В, f = 1 МГц		9		нФ
Coes	выходная емкость при закороченном входе	VGE = 25, VCE = 0 В, f = 1 МГц		1,7		нФ
Cres	Обратная передаточная емкость (емкость Миллера)	VGE = 25, VCE = 0 В, f = 1 МГц		2,1		нФ
Rth(j-s)	Тепловое сопротивление	для одного IGBT		0,4		K/Вт
td(on)	длительность задержки включения	VCC = 300 В, VGE = ± 15В ICnom = 150 A, Tj = 125 °C RGon = RGoff = 4 Ом индуктивная нагрузка		20		нс
tr	время нарастания			25		нс
td(off)	длительность задержки выключения			185		нс
tf	время спада			15		нс
Eon	рассеиваемая энергия в процессе включения			5.7		мДж
Eoff	рассеиваемая энергия в процессе выключения			3.7		мДж
Диод прерывателя
VF = VEC	прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе	IFnom = 150 A; Tj = 25 (125) °C		1,7 (1,7)	2,1 (2,1)	В
V(TO)	пороговое напряжение	Tj = 25 (125) °C		1 (0,9)	1,1 (1)	В
rT	прямое дифференциальное сопротивление	Tj = 25 (125) °C		4.7 (5.3)	6.7 (7.3)	мОм
Rth(j-s)	Тепловое сопротивление	для одного диода		0,55		K/Вт
IRRM	максимальный ток обратного восстановления	IIFnom = 150 A, VR = 300 В VGE = 0В, Tj = 125 °C diF/dt = 13700 A/мкс		270		A
Qrr	заряд восстановления			18		мкКл
Err	Рассеиваемая энергия в процессе обратного восстановления			3.5		мДж
Диод выпрямителя
VF	прямое напряжение	IFnom = 75 A; Tj = 25 (125) °C		1,2		В
V(TO)	пороговое напряжение	Tj = 150 °C		0,8		В
rT	прямое дифференциальное сопротивление	Tj = 150 °C		7		мОм
Rth(j-s)	Тепловое сопротивление	для одного диода		0,7		K/Вт
Датчик температуры
Rts	сопротивление	3 %, Tr = 25 (100) °C		1000 (1670)		Ом
Механические данные
Ms	монтажный вращающий момент		2		2.5	Н · м
m	масса				65	грамм

I_C - ток коллектора;

V_GE - напряжение затвор-эмиттер;

V_CE - напряжение коллектор-эмиттер;

T_j - температура перехода;

I_Cnom - номинальный ток коллектора;

V_CC - напряжение питания коллектора-эмиттера;

R_Gon (R_Goff)- внешнее последовательное сопротивление с затвором во время включения (выключения);

I_Fnom - номинальный прямой ток.

Внешний вид модулей семейства SKIIP 2:

Схема модуля:

Типовая схема включения:

Документация:

1064 Kb Engl Описание модулей

Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы Semikron,