Поиск по сайту:

 

По базе:  
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > International Rectifier




Дискретные IGBT с напряжением 250 - 430 вольт

Типономинал Корпус Схема Скорость переключения Vces
[B]		 Vce(on)[B] Ic@25C[A] Ic@100C
[A]		 PD
IRG4P254S TO-247AC DISCRETE DC-1 kHz (STANDARD) 250 1.50 98 55 200
IRGB14C40L TO-220AB DISCRETE Low-Vceon 430 1.40 20 14 125
IRGS14C40L D2-Pak DISCRETE Low-Vceon 430 1.40 20 14 125
IRGSL14C40L TO-262 DISCRETE Low-Vceon 430 1.40 20 14 125
Vces (Maximum IGBT Breakdown Voltage) - максимальное напряжение пробоя IGBT
Vce(on) (Collector-to-Emitter Saturation Voltage) - напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Ic (Continuous Collector Current) - продолжительный ток коллектора
PD (Power Dissipation) - рассеиваемая мощность
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы International Rectifier,

поставщики электронных компонентов





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (995) 900 6254. e-mail:info@eust.ru
©1998-2023 Рынок Микроэлектроники