|
Поиск по сайту: |
|
По базе: |
![]() |
| Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов | |||||||||
|
|
|||||||||
Процессы в преобразователеПроцессы в преобразовательной системе будут всегда порождать нежелательные помехи при коммутации в силовых полупроводниках с одной стороны (рис.3.24) и нужное преобразование энергии в соответствии с обработкой сигнала с другой стороны. Эти процессы можно разделить на высокоэнергетические, которые могут вызвать помехи в сети и нагрузке с частотами начиная от основной и примерно до 10 кГц, и низкоэнергетические, с частотами от 10 кГц и до 30 МГц, где начинает распространяться шум и, следовательно, непроводящий ток. В низкочастотном диапазоне эти эффекты называются обратной связью по сети в преобразователе, они обычно характеризуются дискретным гармоническим спектром тока примерно до 2 кГц. Свыше 10 кГц эти колебания называются радиопомехами, измеряются селективным методом в дБ/мкВ. Для узкого частотного диапазона, в котором работают современные силовые полупроводники, первая попытка была сделана при ознакомлении с процессом измерения и с предельными значениями. Различия между обозначениями, такими как нулевой ток, ток утечки или асимметричные помехи даны только в классификации на разные частотные диапазоны и в зависимости от частоты всех параметров коммутации.
Главная - Микросхемы - DOC - ЖКИ - Источники питания - Электромеханика - Интерфейсы - Программы - Применения - Статьи |
|||||||||