Внутренняя низкоиндуктивная структура

На примере полумостового модуля, рис.1.55 показывает основные внутренние паразитные индуктивности модуля, возникающие при соединениях между кристаллами и выводами модуля (внутренние проводники).

Рис. 1.55. Паразитные индуктивности сдвоенного IGBT модуля

• L_QG: паразитные индуктивности затвора
• L_QC: паразитная индуктивность верхнего коллектора
• L_QEC: паразитная индуктивность между верхним эмиттером и нижним коллектором
• L_QE: паразитная индуктивность нижнего эмиттера
• L_CE: общая паразитная индуктивность верхний коллектор - нижний эмиттер

Минимизация этих индуктивностей, которые вызывают перенапряжения при выключении и снижают dI/dt при включении, а также индуктивную связь между силовыми и цепями управления, будет напрямую влиять на характеристики силовых модулей.

Кроме того, паразитные индуктивности модулей с параллельным расположением кристаллов внутри могут вызвать разные динамические характеристики кристаллов и генерацию между ними. В п. 3.4.1 детально рассмотрены эти корреляции.

---

Главная - Микросхемы - DOC - ЖКИ - Источники питания - Электромеханика - Интерфейсы - Программы - Применения - Статьи