Напряжение изоляции / устойчивость к отдельным разрядам [275]

При высоких напряжениях возрастают требования к высокому напряжению изоляции и высокой устойчивости к отдельным разрядам IGBT модулей. Напряжение изоляции и устойчивость к отдельным разрядам зависят от толщины, материала и однородности изоляции нижней части кристалла, материала корпуса и иногда от расположения кристаллов.

Обыкновенные транзисторные модули подвергаются проверке изоляции напряжением от 2,5 кВ_эфф до 9 кВ_эфф, которое прикладывается к каждому модулю при изготовлении.

Ни рис.1.53 показано максимально допустимое напряжение изоляции для разных изоляционных подложек и сегодняшний стандарт толщины подложки d.

Рис. 1.53

---

Главная - Микросхемы - DOC - ЖКИ - Источники питания - Электромеханика - Интерфейсы - Программы - Применения - Статьи