Поиск по сайту:

 

По базе:  
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по типам > Микроконтроллеры > HC08 > Архитектура




Расширенная адресация

Команды расширенной адресации могут обращаться к любому адресу 64-килобайтовой карты памяти. Все команды расширенной адресации имеют длину в три байта - первый байт является операционным кодом; второй и третий байты, соответственно, старший и младший байты адреса операнда. Этот режим адресации используется в том случае, когда необходимо обращаться к памяти за пределами прямой, или нулевой, страницы ($0000 - $00FF).

Большинство ассемблеров позволяют разработчику не определять тип команды - с прямой адресацией или с расширенной. Ассемблер автоматически выбирает кратчайшую форму команды.

В таблице 6 перечислены команды, использующие расширенный режим адресации. Ниже показан пример использования расширенного режима адресации.

Машинный код    Метка    Операция     Операнд     Комментарий

                          ORG          $50         ; Старт при $50
                          FCB          $FF         ; $50 = $FF
5F                        CLRX
BE50                      LDX          $0050       ; Прямая загрузка X


                          ORG          $6E00       ; Старт при $6E00
                          FCB          $FF         ; $6E00 = $FF
5F                        CLRX
CE6E00                    LDX          $6E00       ; Расширенная загрузка X

Таблица 6. Команды расширенной адресации

Мнемоника Команда
ADC Сложить память и перенос с аккумулятором (Add Memory and Carry to Accumulator)
ADD Сложить память с аккумулятором (Add Memory and Accumulator)
AND Выполнить логическое AND памяти с аккумулятором (Logical AND of Memory and Accumulator)
BIT Поразрядно сравнить память с аккумулятором (Bit Test Memory with Accumulator)
CMP Сравнить аккумулятор с памятью (Compare Accumulator with Memory)
CPX Сравнить младший байт индексного регистра с памятью (Compare X (Index Register Low) with Memory)
EOR Выполнить исключающее OR памяти и аккумулятора (Exclusive OR Memory with Accumulator)
JMP Выполнить переход (Jump)
JSR Выполнить переход в подпрограмму (Jump to Subroutine)
LDA Загрузить аккумулятор содержимым памяти (Load Accumulator from Memory)
LDX Загрузить младший байт индексного регистра содержимым памяти (Load X (Index Register Low) from Memory)
ORA Выполнить включающее OR содержимого аккумулятора и памяти (Inclusive OR Accumulator with Memory)
SBC Вычесть память и перенос из аккумулятора (Subtract Memory and Carry from Accumulator)
STA Сохранить аккумулятор в памяти (Store Accumulator in Memory)
STX Сохранить младший байт индексного регистра в памяти (Store X (Index Register Low) in Memory)
SUB Вычесть память из аккумулятора (Subtract Memory from Accumulator)


<-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (995) 900 6254. e-mail:info@eust.ru
©1998-2023 Рынок Микроэлектроники